MEMORIA RAM

·       ÍNDICE.

1.   DEFINICIÓN

2.   HISTORIA

3.   FORMATOS DE MÓDULOS RAM

3.1.      MÓDULOS SIPP

3.2.      MÓDULOS RIMM

3.3.      MÓDULOS SIMM

3.4.      MÓDULOS DIMM

3.5.      MÓDULOS SO-DIMM

4.   TIPOS DE MEMORIAS RAM

4.1.      DRAM

4.1.1. FPM-RAM

4.1.2. EDO-RAM

4.1.3. BEBO-RAM

4.2.      SDRAM

4.2.1. SDR-RAM

4.2.2. DDR (DDR1)-SDRAM

4.2.3. DDR2-SDRAM

4.2.4. DDR3-SDRAM

4.2.5. DDR4-SDRAM

4.2.6. COMPARACIÓN GRÁFICA ENTRE MEMORIAS

5.   PARÁMETROS DE LA MEMORIA RAM

6.   CONSEJOS DE COMPRA DE LAS MEMORIAS RAM
7. VÍDEOS

1.   DEFINICIÓN

La memoria RAM (Random Access Memory  o memoria de acceso aleatorio) es un dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisión de la información.

En la memoria RAM se carga parte del sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple® MacOS, Microsoft® Windows 7, etc.),  los programas como (Office, Winzip®, Nero®, etc.), instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente una copia del contenido de la memoria ROM.

Estas memorias tienen unos tiempos de acceso y un ancho de banda mucho más rápido que el disco duro, por lo que se han convertido en un factor determinante para la velocidad de un ordenador. Esto quiere decir que, dentro de unos límites, un ordenador irá más rápido cuanta mayor sea la cantidad de memoria RAM que tenga instalada, expresada en MegaBytes o GigaBytes.

Ejemplo: cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa será leído desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicación, la RAM se libera para poder cargar el próximo programa a utilizar.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

2.   HISTORIA.

La historia está marcada por la necesidad del volumen de datos. Originalmente, los datos eran programados por el usuario con movimientos de interruptores. Se puede decir que el movimiento de datos era bit a bit. Las necesidades apuntaron a una automatización y se crearon lo que se denomina byte de palabra. Desde una consola remota, se trasladaban los interruptores asignándoles valores de letra, que correspondían a una orden de programación al microprocesador.

Los interruptores evolucionaron asignándoles una tabla de direccionamiento de 16x16 bytes, en donde se daban 256 valores de byte posibles (la actual tabla ASCII).

La estimulación del conmutador evolucionó a pulsos electromagnéticos, el almacenamiento de los programas era cuestión de tiempo que su almacenamiento pasara del papel a un soporte lógico, tal como las cintas de almacenamiento. Las cintas eran secuenciales, y la composición de la cinta era de un material magnetoestático; bastaba una corriente Gauss para cambiar las polaridades del material. Dado que el material magnético puede tener polaridad norte o sur, era ideal para representar el 0 o el 1.

Integrado de silicio de 64 bits

sobre un sector de memoria de núcleo 

magnético (finales de los 60)

               

4MiB de memoria RAM para un computador VAX
de finales de los 70. Los integrados de
memoria DRAM están agrupados arriba a derecha e izquierda.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromágnetico de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

3.   FORMATOS DE MODULOS RAM

Se trata de la forma en que se juntan los chips de memoria, del tipo que sean, para conectarse a la placa base del ordenador. Son unas plaquitas alargadas con conectores en un extremo; al conjunto se le llama módulo. Esta clasificación se refiere exclusivamente a la posición de los contactos.

ANATOMIA DE LA MEMORIA RAM.

Las muescas laterales sirven de sujeción una vez instalado el módulo, para que no pueda ser extraído por error.

La muesca del fondo sirve para evitar que se instale RAM no compatible en un zócalo que no le corresponde. Transforma el proceso de instalación por tanto, casi a prueba de tontos. Pero no de persistentes con mucha fuerza bruta.

Los contactos o pines, son los puntos de unión entre nuestra RAM y la placa base, y el lugar por el que esta se comunica. Su número le indicará con precisión a un ojo experto el tipo de RAM con el que está tratando. Si ese ojo experto no es capaz de verlo antes por las etiquetas y números de serie, claro.

Los módulos o chips de memoria, son el corazón de la memoria, donde se almacena la información que está siendo tratada.

1 Módulo FB-DIMM de 240 contactos.

2 Circuito impreso.

3 Chips de memoria.

4 Muesca de posición.

5 Muescas de fijación.

6 Contactos.

7 Controlador AMB.

Las primeras memorias fueron chips denominados DIP (Paquete en Línea Doble) un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado. Hoy en día, las memorias por lo general se suministran en forma de módulos, es decir, tarjetas que se colocan en conectores designados para tal fin.

Los primeros módulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no había un estándar entre distintas marcas. Otros módulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS.
En primer lugar vamos a ver los módulos propietarios, que son SIPP y RAMBUS.

3.1.      MÓDULOS SIPP (Single In-line Pin Package).

Módulos de formatos SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre).

Son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard).

Reemplazaron el uso de las memorias TSOP.

Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se integraron a una placa plástica y se hizo más resistente a los dobleces.

Características generales de la memoria SIP:

• Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales.
• Cuentan con una forma física especial,  pero tenían el inconveniente de que al tener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y romperse.
• La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.
• La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.

Partes que componen la memoria SIP:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria SIP.

Conectores - pines para la ranura:

Son 2 versiones:

Conector	Figuras
SIP 30 pines	Conector de la memoria "Ranura" de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria SIP:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los SIP su velocidad de trabajo  era la misma que los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.

El tiempo de acceso de la memoria SIP

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria	Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
SIP 30 pines	60 nseg

Capacidades de almacenamiento SIP:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIP es Kilobyte (KB) y el Megabyte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria	Capacidad en Kilobytes (KB) / Megabytes (MB)
SIP 30 pines	256 KB, 512 KB, 1 MB?

Usos específicos de la memoria SIP

Los SIP de 30 pines se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel® 286.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

3.2.      MÓDULOS RIMM (Rambus Inline Memory Module).

Módulos de formatos RIMM  acrónimo de Rambus Inline Memory Module lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también  están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la placa base También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.

Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module").

Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR ("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.

Características generales de la memoria RIMM:

• Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca solamente un módulo de memoria.
• Todas las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.
• Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
• La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.
• Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.
• Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para ellas estén ocupadas.

Partes que componen la memoria RIMM:

Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa como disipador de calor:

1.- Disipador: es una placa metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente.

2.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria RIMM.

3.- Muescas: son 2 hendiduras características de la memoria RIMM y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
RIMM 184 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal (viene por pares)

Velocidad de la memoria RIMM.

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignado	Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
PC600	300 MegaHertz (MHz)
PC700	356 MHz
PC800	400 MHz
PC1066	533 MHz
(...)	800 MHz

El tiempo de acceso de la memoria RIMM:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria	Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
RIMM 184 terminales	40 nseg aproximadamente

Latencia de la memoria RIMM:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencia CAS
RIMM 184 terminales	4 y 5

Capacidades de almacenamiento RIMM:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria RIMM es el MegaByte (MB). Se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria	Capacidad en MegaBytes (MB)
RIMM 184 terminales	64 MB, 128 MB, 256 MB

Usos específicos de la memoria RIMM:

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a sobrecalentarse, por lo que terminó siendo reemplazado en el ámbito general por las memorias RAM tipo DDR que eran más económicas y no necesitaban ventilación adicional.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

En términos generales, existen tres tipos estándar de módulos RAM:

3.3.      MÓDULOS SIMM ("Single In line Memory Module")

SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa Módulo de Memoria en Línea Simple (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).

Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-Line Package").

Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory Module").

Características generales de la memoria SIMM:

• Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el segundo el sucesor.
• Cuentan con una forma física especial,  para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72 terminales cuenta con una muesca en un lugar estratégico del conector.
• La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72 terminales 32 bits.
• La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm. de alto.
• La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
• Pueden convivir en la misma placa base ambos tipos si esta tiene las ranuras necesarias para ello.

Partes que componen la memoria SIMM:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (30 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria SIMM.

Conectores - terminales para la ranura:

Son 2 versiones:

Conector	Figuras
SIMM 30 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria SIMM:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los SIMM su velocidad de trabajo  era la misma que los microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz.

El tiempo de acceso de la memoria SIMM:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria	Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
SIMM 30 terminales	60 nseg
SIMM 72 terminales	40 nseg

Capacidades de almacenamiento SIMM:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria SIMM es KiloByte (KB) y el MegaByte (MB). En este caso como hubo 2 versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria	Capacidad en MegaBytes (MB)
SIMM 30 terminales	256 KB, 512 KB, 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB
SIMM 72 terminales	4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB

Usos específicos de la memoria SIMM:

Los SIMM de 30 terminales se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel® 386 y 486.

Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales, pero algunas placas integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en computadoras con básicamente procesadores de la familia Intel® 486 y Pentium.
Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

3.4.      MÓDULO DIMM (Dual In line Memory Module).

DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la placa baseCabe destacar que la característica de las memorias de línea dual, es precursora de los estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.

Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory Module").

Las memorias DIMM fueron reemplazadas por las memorias tipo RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double Data Rate").

Características generales de la memoria DIMM:

• Cuenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de la tarjeta de memoria, de así que se les denomina duales.
• Todas las memorias DIMM cuentan con 168 terminales.
• Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
• La memoria DIMM permite el manejo de 32 y 64 bits.
• La medida del DIMM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de alto.
• Puede convivir con SIMM en la misma placa base si esta cuenta con ambas ranuras.

Partes que componen la memoria DIMM:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (168 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DIMM en la tarjeta principal (Motherboard).

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
DIMM - SDRAM 168 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DIMM:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignado	Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
----	25 MHz, 33 MHz, 50 MHz
PC66	66 MegaHertz (MHz)
PC100	100 MHz
PC133	133 MHz
PC150	150 MHz

El tiempo de acceso de la memoria DIMM:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria	Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DIMM - SDRAM 168 terminales	12 nseg - 10 nseg - 8 nseg

Latencia de la memoria DIMM:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencia promedio CAS
DIMM - SDRAM 168 terminales	3

Capacidades de almacenamiento DIMM:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DIMM es el MegaByte (MB). Actualmente en México todavía se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades:

Tipo de memoria	Capacidad en MegaBytes (MB)
DIMM - SDRAM 168 terminales PC100	32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB
DIMM - SDRAM 168 terminales PC133	32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB

Usos específicos de la memoria DIMM:

Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron básicamente en computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel® Pentium Pro, Pentium II, Celeron y algunos modelos Pentium III.
Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

3.5.      MÓDULO SO DIMM (Small Outline Dual In line Memory Module).

SODIMM: proviene de ("Small Outline Dual In line Memory Module"), siendo la variante de memorias DIMM - SDRAM para computadoras portátiles.|

Características de la memoria SODIMM:

• Todas las memorias SODIMM cuentan con 144 terminales en el caso de las memorias de 64 bits, especiales para computadoras portátiles.
• Con 77 clavijas en el caso de las memorias de 32 bits.
• Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DIMM para computadora de escritorio.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.   TIPOS DE MEMORIAS RAM.

4.1.      DRAM (Dynamic Random Access Memory o RAM Dinámica).

DRAM (Dynamic Random Access Memory) o (Módulo de Acceso Aleatorio Dinámico o RAM Dinámica). Esta memoria es del tipo asíncronas, es decir, que iban a diferente velocidad que el sistema, y sus tiempos de refresco eran bastante altos. Usada hasta la época del 386, su velocidad de refresco típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70 ns que la de 80 ns.

Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.

Las memorias DRAM se dividen a su vez en varios tipos:

4.1.1.         FPM-RAM (Fast Page Mode RAM).

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM o Memoria en Modo Paginado): Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns. Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).

• Fecha de introducción: 1990

• Velocidad de transferencia: 200 MB/s

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.1.2.         EDO-RAM (Extended Data Output-RAM).

EDO-RAM (Extended Data Output-RAM o Salida de Información Mejorada, a veces denominada "híper- página"): el tiempo de acceso de la memoria EDO es de 50 a 60 nanosegundos, en el caso de una frecuencia de funcionamiento de entre 33 y 66 Mhz.

Muy común en los Pentium MMX y AMD K6. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

Dado que la memoria EDO no funcionaba con frecuencias mayores a 66 Mhz, se suspendió su uso en favor de la SDRAM.

• Fecha de introducción: 1994

• Velocidad de transferencia: 320 MB/s

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.1.3.         BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM).

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM): Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónica. 

• Fecha de introducción: 1997

• Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.      SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory).

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory). (Memoria de Acceso Aleatorio Estático) Son un tipo de memorias síncronas, es decir, que van a la misma velocidad del sistema, con unos tiempos de acceso que en los tipos más recientes son inferiores a los 10ns, llegando a los 5ns en los más rápidos.

Las memorias SDRAM se dividen a su vez en varios tipos:

4.2.1.         SDR SDRAM (Single Data Rate).

SDR-SDRAM (Single Data Rate): Los módulos SDR son los conocidos normalmente como SDRAM. Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.

Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III, así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron.

Los tipos disponibles son: 

PC66: SDR SDRAM:

• Fecha de introducción: 1997

• Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

PC100: SDR SDRAM:

• Fecha de introducción: 1998

• Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

PC133: SDR SDRAM:

• Fecha de introducción: 1999

• Velocidad de transferencia: La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.2.         DDR (o DDR1) SDRAM (Double Data Rate).

DDR (o DDR1)-SDRAM (Double Data Rate), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la placa base. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM. También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

 Módulo DDR. Vemos que tiene una sola muesca de posicionamiento, situada a la derecha del centro del módulo.

Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line Memory Module").

Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2 ("Double Data Rate - 2").

Características generales de la memoria DDR:

• Todas las memorias DDR cuentan con 184 terminales.
• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
• La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm. de espesor.
• Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.

Partes que componen la memoria DDR:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
DDR 184 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DDR:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado	Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")	Fecha de introducción
PC-2100 o DDR 266	133 MHz	2002
PC-2700 o DDR 333	166 MHz	2004
PC-3200 o DDR 400	200 MHz	2004

El tiempo de acceso de la memoria DDR:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoria	Tiempo de respuesta en nanosegundos (nseg)
DDR PC2100 o DDR 266	7.5 nseg
DDR PC2700 o DDR 333	6 nseg,
DDR PC3200 o DDR 400	5 nseg

Latencia de la memoria DDR:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencias (CL)
DDR PC2100 o DDR 266	2.5
DDR PC2700 o DDR 333	2.5
DDR PC3200 o DDR 400	2.5 hasta 4

Capacidades de almacenamiento DDR:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR es el MegaByte (MB). y el GigaByte (GB).

Tipo de memoria	Capacidad en MegaBytes (MB) / GigaBytes (GB)
DDR 184 terminales	128 MB, 256 MB, 512 MB y 1 GB

Usos específicos de la memoria DDR:

Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con microprocesadores de la familia AMD® Athlon y por su bajo precio y eficiencia también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4.
Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.3.         DDR2-SDRAM  ("Dual Data Rate 2").

DDR2-SDRAM: proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la placa baseTambién se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente se encuentra desplazando a la memoria DDR.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3 "Double Data Rate -3".

Módulo DDR2. Vemos que tiene una sola muesca de posicionamiento, situada a la derecha del centro del módulo, aunque más hacia en centro que en los módulos DDR. También se puede apreciar la mayor densidad de contactos.

Características generales de la memoria DDR-2:

• Todas las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.
• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.
• Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
• Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

Partes que componen la memoria DDR-2:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.

2.- Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR2.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
DDR-2 240 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DDR-2:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.

El tiempo de acceso de la memoria DDR-2:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg).

Nombre estándar	Velocidad del reloj	Tiempo entre señales	Velocidad del reloj de E/S	Datos transferidos por segundo	Nombre del módulo	Máxima capacidad de transferencia
DDR2-400	100 MHz	10 ns	200 MHz	400 millones	PC2-3200	3200 MB/s
DDR2-533	133 MHz	7,6 ns	266 MHz	533 millones	PC2-4200	4264 MB/s
DDR2-600	150 MHz	6,7 ns	300 MHz	600 millones	PC2-4800	4800 MB/s
DDR2-667	166 MHz	6 ns	333 MHz	667 Millones	PC2-5300	5336 MB/s
DDR2-800	200 MHz	5 ns	400 MHz	800 Millones	PC2-6400	6400 MB/s
DDR2-1000	250 MHz	3,75 ns	500 MHz	1000 Millones	PC2-8000	8000 MB/s
DDR2-1066	266 MHz	3,75 ns	533 MHz	1066 Millones	PC2-8500	8530 MB/s
DDR2-1150	286 MHz	3,5 ns	575 MHz	1150 Millones	PC2-9200	9200 MB/s
DDR2-1200	300 MHz	3,3 ns	600 MHz	1200 Millones	PC2-9600	9600 MB/s

Latencia de la memoria DDR-2:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencias (CL)
DDR2 PC5300	4 y 5
DDR2 PC6400	4, 5 hasta 6

Capacidades de almacenamiento DDR-2:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-2 es el MegaByte (MB) y el GigaByte (GB):

Tipo de memoria	Capacidad en MegaBytes (MB) / GigaBytes (GB)
DDR-2 240 terminales	256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, y 4 GigaBytes (GB)

Usos específicos de la memoria DDR-2:

Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de la firma AMD®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4, Core 2 Duo,  Core 2 Quad y Core Quad.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.4.         DDR3-SDRAM ("Dual Data Rate 3").

DDR3-SDRAM proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el más moderno estándar, las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la placa base. También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan.

Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo  que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca. 

Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2 ("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

Características generales de la memoria DDR3:

• Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.
• Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con disipadores de calor.
• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
• Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
• Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo.
• Con los sistemas operativos Microsoft® Windows más recientes en sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.

Partes que componen la memoria DDR3:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.- Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR3.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR3.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
DDR-3 240 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal

Velocidad de la memoria DDR-3:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.

El tiempo de acceso de la memoria DDR-3:

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg).

Nombre estándar	Velocidad del reloj	Tiempo entre señales	Velocidad del reloj de E/S	Datos transferidos por segundo	Nombre del módulo	Máxima capacidad de transferencia
DDR3-1066	133 MHz	7,5 ns	533 MHz	1066 Millones	PC3-8500	8530 MB/s
DDR3-1200	150 MHz	6,7 ns	600 MHz	1200 Millones	PC3-9600	9600 MB/s
DDR3-1333	166 MHz	6 ns	667 MHz	1333 Millones	PC3-10700	10664 MB/s
DDR3-1375	170 MHz	5,9 ns	688 MHz	1375 Millones	PC3-11000	11000 MB/s
DDR3-1466	183 MHz	5,5 ns	733 MHz	1466 Millones	PC3-11700	11700 MB/s
DDR3-1600	200 MHz	5 ns	800 MHz	1600 Millones	PC3-12800	12800 MB/s
DDR3-1866	233 MHz	4,3 ns	933 MHz	1866 Millones	PC3-14900	14930 MB/s
DDR3-2000	250 MHz	4 ns	1000 MHz	2000 Millones	PC3-16000	16000 MB/s

Latencia de la memoria DDR-3:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencias (CL)
DDR3 PC3-8500	6 hasta 8
DDR3 PC3-10666	7 hasta 10
DDR3 PC3-12800	8 hasta 11
DDR3 PC3-14900	11 hasta 13
DDR3 PC3-16000	9

Capacidades de almacenamiento DDR-3:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-3 es el GigaByte (GB). Actualmente se comercializan módulos independientes y también por Kit; es importante mencionar que las memorias de más de 8 GB no vienen en un sólo módulo de memoria, sino que vienen en Kit (esto es, se venden 3 memorias de 4 GB, dando resultado 12 GB), por lo que al momento de decidir cómo comprar la memoria, hay que tomar en cuenta el número de ranuras con que cuenta la tarjeta principal y cuál es su máxima capacidad en caso de que después queramos escalarla.

Tipo de memoria	Capacidad en GigaBytes (GB)
DDR-3 240 terminales en un sólo módulo	1 GB, 2 GB, 4 GB y 8 GB

Usos específicos de la memoria DDR-3:

Los DDR-3 de 240 terminales se utilizan en equipos con el procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador AMD® Phenom y AMD® FX-74.

La memoria SODDR3 (Variante DDR3):

Significado de SODDR3: proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 3"), siendo la variante de memoria DDR3 para computadoras portátiles.

Características de la memoria SODDR3:

• Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para computadoras portátiles.

• Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para computadora de escritorio.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.5.         DDR4 ("Dual Data Rate 4").

DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuales están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente está en fase de presentación y no se comercializa, pero se espera que sea el reemplazo del estándar de memorias RAM tipo DDR-4 ("Double Data Rate - 4 ").

Características generales de la memoria DDR4:

• Cuentan con 240 terminales para la conexión a la Motherboard.
• Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
• Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
• Utiliza la tecnología de 30 nanómetros para su fabricación.
• Tiene un voltaje de alimentación de 1.2 Volts, menor a las anteriores por lo que según la firma, es más ecológica.

Partes que componen la memoria DDR4:

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes:

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector de 240 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

Conectores - terminales para la ranura:

Solo hay una versión física:

Conector	Figuras
DDR-4 240 terminales	Conector de la memoria Ranura de la tarjeta principal (similar)

Velocidad de la memoria DDR-4:

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignado	Velocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side Bus")
DDR4 PC4-14900E	2133 MHz - 4266 Mhz

Latencia de la memoria DDR-4:

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria	Latencias (CL)
DDR4 PC4-14900E	13

Capacidades de almacenamiento DDR-4:

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-4 es el GigaByte (GB). El modelo presentado es el siguiente:

Tipo de memoria	Capacidad en GigaBytes (GB)
DDR-4 240 terminales en un sólo módulo	2 GB

Usos específicos de la memoria DDR-4:

Los DDR-4 de 240 terminales se busca sea el formato futuro de memorias RAM, compatibles con modelos próximos de procesadores y placas en el año 2015 aproximadamente.

La memoria SODDR4 (Variante DDR4):

Significado de SODDR4: proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 4"), siendo la variante de memoria DDR4 para computadoras portátiles.

Características de la memoria SODDR4:

• Cuentan con 204 terminales, especiales para computadoras portátiles.

• Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR4 para computadora de escritorio.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.6.         COMPARACIÓN GRÁFICA ENTRE MEMORIAS.

En cuanto a la medida, en todos los casos de memorias del tipo SDRAM (SDR, DDR, DDR2 y DDR3) se trata de módulos de 133mm de longitud.

Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

4.2.7.         DENOMINACIÓN DE MEMORIA RAM

Todas las memorias DDR  se suelen denominar de dos formas diferentes, o bien en base a su velocidad de bus de memoria efectiva (DDR-266, DDR-333, DDR-400, DDR2-533, DDR2-667, DDR2-800) o bien por su ancho de banda teórico, es decir, por su máxima capacidad de transferencia (PC-2100, PC-2700 y PC-3200 en el caso de los módulos DDR y PC-4200, PC-5300 y PC-6400 en el caso de los módulos DDR2).  

El Ancho de banda de los memoria DDR  se puede calcular multiplicando su velocidad de bus de memoria efectiva por 8 (DDR-400 por 8 = PC-3200).

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

5.   PARAMETROS DE LA RAM

Velocidad de acceso:

Se mide en nanosegundos y es la velocidad mínima que tarda la memoria en completar un acceso de memoria completo.

Velocidad de reloj:

Se mide en MHz y es la velocidad que tarda el bus en completar un ciclo de reloj

Latencia cas:

Es el tiempo transcurrido en ciclos de reloj entre que el controlador manda una petición para leer una parte de la memoria hasta que los datos salen a los pines de salida de la RAM.

Tasa de transferencia:

Es la tasa máxima de datos que se pueden leer por cada ciclo de reloj. Se expresa en MB/s.

Dual/triple canal:

Es una tecnología que habilita el uso simultáneo de dos o tres memorias habilitando dos o tres canales para las mismas.

Voltaje:

Es el consumo de energía de una memoria RAM. Se mide en voltios (V).
Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.

6.   CONSEJOS DE COMPRA DE MEMORIAS RAM.

Podremos encontrar diferentes opciones, y si bien las diferencias no serán abismales, debemos tener una serie de puntos en cuenta al elegir.

Las marcas:

No todas las marcas fabricantes tienen la misma calidad, y por tanto, a la hora de elegir entre dos de igual precio y características, resulta más inteligente quedarnos con las marcas más fiables. Hay que tener en cuenta además, que existen diferentes versiones dentro de estas marcas, indicando mejores componentes y posibilidades.

Las mejores: Corsair, Gskill y Kingston.

También buenas: Mushkin, Exceleram, GeIL o Crucial.

Capacidad:

Debemos tener en cuenta qué clase de aplicaciones vamos a utilizar. No todos los usuarios necesitan lo mismo, ya que podríamos dejar sin usar gran cantidad de memoria, que podría haberse transformado en algún componente mejor.

2 GB: Base, para usuarios que navegan, consultan correo, y realizan trabajos de ofimática.

4 GB: Lo más común, nos permitirá desenvolvernos con tranquilidad.

6-8 GB (o más): Para jugones muy exigentes, o quienes hagan edición y diseño avanzados.

Frecuencia:

Posiblemente lo más simple, a mayor frecuencia, más rendimiento. Sin embargo, debemos tener mucho cuidado, comprobando que aquello que vayamos a comprar esté soportado por nuestra placa base.

1333 Mhz: Lo más común, suficiente para cualquier usuario no exigente.

1600 Mhz: Mejor opción calidad-precio para jugones que ajusten su presupuesto.

1800+ Mhz: Para usuarios muy exigentes, y dispuestos a pagar el precio.

Latencias:

Conforme subimos de frecuencia, también lo hace su latencia. Sin embargo, algunos fabricantes ofrecen módulos con latencias reducidas, que mejoraran el rendimiento. Tan sencillo, como elegir, con la misma frecuencia, la latencia más baja.

Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.



7. VÍDEOS.

Memorias Ram: montaje de un pc - Parte 1/3

Memorias Ram: montaje de un pc - Parte 2/3

Memorias Ram: montaje de un pc - Parte 3/3

Javier Atencia y Patricia Burgos muestran un nuevo elemento del pc: la memoria ram, tipos y características.
Volver a Partes de un PC o a ÍNDICE.